소개

포토레지스트는 표면에 패턴 코팅을 형성하기 위해 포토리소그래피 및 사진 제판과 같은 여러 공정에서 사용되는 감광성 재료입니다. 이 공정은 전자 산업에서 매우 중요합니다. 이 공정은 빛에 민감한 유기 물질로 기판을 코팅하는 것으로 시작됩니다. 그런 다음 패턴 마스크를 표면에 적용하여 빛을 차단하여 재료의 마스크되지 않은 영역만 빛에 노출되도록 합니다. 그런 다음 현상액이라고 하는 용매를 표면에 도포합니다.

포지티브 포토레지스트의 경우 감광성 물질이 빛에 의해 열화되고 현상액이 빛에 노출된 영역을 용해하여 마스크가 배치된 코팅을 남깁니다.

네거티브 포토레지스트의 경우 감광성 재료는 빛에 의해 강화(중합 또는 가교 결합)되고 현상액은 빛에 노출되지 않은 영역만 용해되어 마스크가 있던 영역에 코팅을 남깁니다. 배치되지 않았습니다.

포토레지스트의 화학 구조에 따라 광중합형, 광분해형, 광가교형 포토레지스트의 세 가지 유형으로 분류할 수 있습니다.

광중합 포토레지스트는 포토레지스트의 일종으로, 일반적으로 알릴 모노머로, 빛에 노출되면 자유 라디칼을 생성한 다음 모노머의 광중합을 시작하여 폴리머를 생성합니다. 광중합 포토레지스트는 일반적으로 네거티브 포토레지스트(예: 메틸 메타크릴레이트)에 사용됩니다.

UV 하에서 폴리머로 생성되는 메틸 메타크릴레이트 모노머의 광중합

광분해 포토레지스트는 빛 아래에서 친수성 제품을 생성하는 일종의 포토레지스트입니다. 광분해 포토레지스트는 일반적으로 포지티브 포토레지스트에 사용됩니다.

디자오나프토퀴논의 광분해는 훨씬 더 극성인 환경으로 이어져 수성 염기가 베이클라이트 유형 폴리머를 용해할 수 있게 합니다.

광가교 포토레지스트는 포토레지스트의 일종으로, 빛에 노출되었을 때 체인별로 가교되어 불용성 네트워크를 생성할 수 있습니다. Photocrosslinking 포토레지스트는 일반적으로 네거티브 포토레지스트에 사용됩니다.

관련 제품: CAS NO.347886-81-1 2-프로펜산, 2-메틸-, 2-[(헥사하이드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-사이클로펜타[b]푸란-6-일) 옥시]-2-옥소에틸 에스테르

1. 4-아미노아다만탄-1-카르복실산 CAS NO.1057343-95-9

2. 2-메틸-2-아다만틸 아크릴레이트 CAS NO.249562-06-9

3. 2-에틸-2-아다만틸 아크릴레이트 CAS NO.303186-14-3

2-프로펜산, 2-메틸-, 2-[(헥사하이드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-사이클로펜타[b]푸란-6-일)옥시]-2-옥소에틸 에스테르
347886-81-1 CAS:347886-81-1 제조업체, 2-프로펜산, 2-메틸-, 2-[(헥사하이드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-사이클로펜타[b]푸란-6-일)옥시]-2-옥소에틸 에스테르
347886-81-1 공장, 2-프로펜산, 2-메틸-, 2-[(헥사하이드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-사이클로펜타[b]푸란-6-일)옥시]-2-옥소에틸 에스테르
347886-81-1 제조업체 또는 2-프로펜산, 2-메틸-, 2-[(헥사하이드로-2-옥소-3,5-메타노-2H-사이클로펜타[b]푸란-6-일)옥시]-2-옥소에틸 에스테르
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